Memoria Ram SODIMM DDR3 4GB 1333Mhz

ULTIMA MODIFICACION DEL ARTICULO : 25/01/2025
512M x 64 bits de ValueRAM (4GB)
DDR3-1333 CL9 SDRAM (DRAM sincrónica), memoria 1Rx8
módulo, basado en ocho componentes DDR3-1333 FBGA de 512M x 8 bits. El SPD está programado para la latencia estándar JEDEC
Tiempo DDR3-1333 de 9-9-9 a 1.5V. Este SODIMM de 204 pines utiliza dedos de contacto de oro. Las especificaciones eléctricas y mecánicas son las siguientes:

CARACTERISTICAS
Fuente de alimentación estándar JEDEC de 1.5V (1.425V - 1.575V)
VDDQ = 1.5V (1.425V - 1.575V)
667MHz fCK para 1333Mb / seg / pin
8 bancos internos independientes
Latencia programable de CAS: 9, 8, 7, 6
Latencia de aditivo programable: 0, CL - 2 o CL - 1 reloj
Latencia de escritura CAS programable (CWL) = 7 (DDR3-1333)
prebúsqueda de 8 bits
Longitud de ráfaga: 8 (intercalar sin límite, secuencial con dirección inicial "000" solamente), 4 con tCCD = 4 que no permitir lectura o escritura sin interrupciones ya sea sobre la marcha usando A12
Luz estroboscópica de datos diferenciales bidireccionales
Calibración interna (auto): auto calibración interna a través de ZQ
pin (RZQ: 240 ohmios +- 1%)
En la terminación del troquel utilizando el pin ODT
Periodo promedio de actualización 7.8us a menos de TCASE 85 C,
3.9us a 85 C <TCASE <95 C
Restablecimiento asincrónico
PCB: Altura 1.18 ”(30 mm), componente de doble cara